标准详情与信息
标准名称：半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法
标准号：GB/T 43493.3-2023
发布日期：2023-12-28
实施日期：2024-07-01
管理部门：国家标准化管理委员会
行业分类：电子学
起草单位与起草人
起草单位包含：河北半导体研究所（中国电子科技集团公司第十三研究所）、之江实验室、广东天域半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、浙江大学、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳市星汉激光科技股份有限公司、厦门特仪科技有限公司。
起草人包含：芦伟立 、房玉龙 、李佳 、殷源 、丁雄杰 、张冉冉 、王健 、李丽霞 、张建锋 、李振廷 、徐晨 、杨青 、刘立娜 、杨世兴 、马康夫 、钮应喜 、金向军 、尹志鹏 、刘薇 、陆敏 、周少丰 、林志阳 。
*本网站标准资料仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。