SJ/T 11586-2016 半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

标准详情与信息

标准名称：半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法

标准号：SJ/T 11586-2016

发布日期：2016-01-15

实施日期：2016-06-01

管理部门：工业和信息化部

行业分类：

起草单位与起草人

起草单位包含：工业和信息化部电子第五研究所

起草人：罗宏伟、何玉娟、恩云飞 等

*本网站标准资料仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。