标准详情与信息
标准名称：碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法
标准号：T/IAWBS 003-2017
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
行业分类：C398 电子元件及电子专用材料制造
本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。
起草单位与起草人
主要起草人：冯淦、陈志霞、钮应喜、张新河、李赟、陆敏、彭同华、刘振洲
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技（厦门）有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所
*本网站标准资料仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。