标准详情与信息
标准名称:p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
标准号:T/CASAS 003-2018
发布日期:2018-11-20
实施日期:2018-11-20
行业分类:A011 谷物种植
SiC半导体材料以其独特的优异性能,特别适合制作高压、超高压功率器件。
起草单位与起草人
主要起草人:孙国胜、李锡光、杨霏、柏松、李诚瞻、高玉强、许恒宇、冯淦、胡小波、张乐年、房玉龙
起草单位:东莞市天域半导体科技有限公司、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、山东天岳晶体材料有限公司、中国科学院微电子研究所、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、山东大学、台州市一能科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、深圳第三代半导体研究院
*本网站标准资料仅供参考,使用标准请以正式出版的标准版本为准。