DB13/T 5695-2023 GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法

标准详情与信息

标准名称：GaN HEMT 射频器件陷阱效应测试方法

标准号：DB13/T 5695-2023

发布日期：2023-05-06

实施日期：2023-06-06

行业分类：

起草单位与起草人

*本网站标准资料仅供参考，使用标准请以正式出版的标准版本为准。